【48812】电子发烧友企业号产品列表半导体电子元器件芯片产品资料

  N6752A 高功用主动量程直流电源模块，50V，10A，100W最大单路输出电压50 V最大单路输出电流10 A上限功率100 W输出数量1.0额外输出电压：50 V电流：10 A功率：100 W编程精度（在 23°C ±5°C 时）电压：0.06% + 19 mV电流：0.1% + 20 mA纹波和噪声（20 Hz 至 20 MHz）电压峰峰值：4.5

  N8735A 电源，30V，110A，3300W最大单路输出电压30 V最大单路输出电流110 A上限功率3300 W输出数量1.0直流输出额外值电压：30V电流：110A功率： 3300W编程精度电压 0.05%+ 15mV电流 0.1%+ 220mA输出纹波和噪声CV p-p：60mVCV rms：8mV是德根底直流电源可为预算严重的客户供给根本功用。K

  简化您的射频校准体系 Fluke Calibration 96040A 射频参阅源使您能够经过替换构成当时体系的许多仪器和附件来简化您的射频校准体系。其准确的信号电平缓衰减、高信号纯度和准确的低失真调制使该参阅源优于一般用于校准频谱分析仪、调制计、射频传感器、衰减器和相似仪器的通用信号发生器。其低相位噪声供给了杰出的相位噪声功用。与许多射频校准解决方案不同，

  高精度和多功用性的结合6 ½分辨率根本直流电压准确度：24ppm双参数显现100µA至10A电流量程，分辨力100pA宽电阻量程从10Ω至1GΩ，分辨力10µΩ2线线电阻丈量技能可丈量频率和周期丈量电容和温度（8846A）USB 存储器接口 (8846A)仿线A图形显现趋势绘图（Trendplot™）功用无纸记载测

  产品特征上限功率:200W，100Wx2(双通道)，30W&250W,300W,350W600W,1200W电压操作规模:0~600V与6310具有高度兼容性。同一机框可达8通道，合适多输出切换式电源供应器测验。高达1200W的负载模块可满意大电流、大功率使用需求。可同步履行多组电子负载模块的使用。定电流、定电阻、定电压及定功率操作形式动态负载操作频率可达2

  产品特征多通道电池模块状况模仿根据电池芯曲线行为，进行电池状况模仿可设定电池组常用参数与快速自定义输出初始状况电池放电能量收回功用，省电、环保、低热能产出，功率85%具有并联功用，可依照用户更大电流的需求并联最多到60个通道操作形式:定电流/定电压/定功率放电每通道功率 600W, 1.25kW, 2.5kW, 5kw,10kw, 20kw 30kW. 50

  CGHV1F006S-AMP3氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)X波段测验板

  Wolfspeed 的 CGHV1F006 是无与伦比的；专为高效规划的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽才能。该设备可布置为L；小号；C; X 和 Ku 波段放大器使用。数据表规范根据 C 波段 (5.5 – 6.5-GHz) 放大器。其他使用电路可用于 5.8 GHz – 7.2 GHz 的 C 波段和 7.9 – 8.

  CG2H80030D-GP4氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓比较具有优胜的功用；包含更高的击穿电压；更高的饱满电子漂移速度；和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管比较，GaN HEMT 供给更高的功率密度和更宽的带宽。CG2H80030D-GP4 特征30 W 典型 PSAT28 伏操

  C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的功用优势肖特基势垒二极管，电力电子体系能等待满意比硅基解决方案更高的功率规范，一起还到达更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满意各种使用要求，而不需要过多的忧虑热失控。 结合下降冷却要求并改进热SiC产品的功用，SiC二极

  C6D10065Q是650 V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的功用优势肖特基势垒二极管，电力电子体系能等待满意比硅基解决方案更高的功率规范，一起还到达更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满意各种使用要求，而不需要过多的忧虑热失控。 结合下降冷却要求并改进热SiC产品的功用，SiC二极管可供给在各种不同的使用中下降全体体系本钱。C6D